【研发】中芯国际半导体器件及其形成方法、刀具及晶圆解键合设备专利获授权；南科大发表DC-DC转换器芯片设计新成果

  集微网消息，天眼查显示，中芯国际“一种半导体器件及其形成方法”专利获授权，授权公告日为10月24日，授权公告号为CN111785631B。

  该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。

  专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的形成方法，提供衬底，衬底包括依次设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层，在第三衬底层远离第二衬底层的一端形成掩膜层图案和氧化隔离层；沿氧化物隔离层的外侧依次刻蚀第三衬底层、第二衬底层和第一衬底层，形成隔离沟槽；移除掩膜层图案，沿氧化物隔离层的内侧刻蚀第三衬底层；移除第二衬底层；环绕刻蚀后的第三衬底层沉积隔离层。

  据悉，与现存技术相比，该方法制作出的半导体器件，相比于现存技术中的半导体器件其栅极面积增大，与其他器件连接时的接触面积较大，并能有效地避免短沟道效应，其使用效果更加好。进一步地，本发明还提供一种基于该半导体器件的形成方法得到的半导体器件。

  集微网消息，天眼查显示，中芯国际一种刀具及晶圆解键合设备专利获授权，授权公告日为10月24日，授权公告号为CN219892147U。

  该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司。

  专利摘要显示，本申请提供一种刀具及晶圆解键合设备，所述刀具包括：刀背部分和刀刃部分，所述刀刃部分包括与刀背部分相连的连接边以及用于切割的刀尖边；第一管路，位于所述刀刃部分中靠近所述连接边的位置且沿平行于所述刀刃部分的方向贯穿所述刀刃部分，所述第一管路两侧连接有若干贯穿所述刀刃部分的第一喷嘴孔；第二管路，位于所述刀刃部分中靠近所述刀尖边的位置且沿平行于所述刀刃部分的方向贯穿所述刀刃部分，所述第二管路靠近所述刀尖边的一侧连接有若干垂直于所述刀尖边且贯穿所述刀尖边的第二喷嘴孔；所述第一管路连接至流体，所述第二管路连接至解键合溶液。

  据悉，本申请提供一种刀具及晶圆解键合设备，能大大的提升晶圆解键合的良率及效率。

  近日，南方科技大学深港微电子学院副教授詹陈长，和澳门大学微电子研究院团队合作，在DC-DC转换器芯片设计领域取得重要进展，研究者提出了一种峰值效率可达97.6% 的Buck-Boost混合DC-DC转换器。相关论文成果发表在该领域顶级期刊《固态电路杂志》（IEEE Journal of Solid-State Circuits, JSSC）上。赵双星是上述论文的第一作者。当前主流电子科技类产品中，3.3V电源最为普遍。这些设备大多选择锂离子电池作为电源，设备中的大多数模块需要，因此3.3V电压是电池PMIC的典型目标输出电压。但锂电池的输出电压会随电量的变化而变化。所以，非反向的buck-boost成为一个好的选择。但是，传统的buck-boost需要两个开关管同时工作，其就有很大的导通和开关损耗。同时，它的电感电流很大，也会有很大的导通损耗。未解决很多问题，这一研发成果提出了一个拥有三个工作模式的非反向“buck-boost混合型转换器（3M-BBHC）”，以减少主路开关数量，降低电感电流的方式来提高效率，以动态的斜坡信号来实现平滑的模式切换。这项工作提出了一种拥有三个模式的非反向buck-boost混合转换器(3M-BBHC)。它包括控制模块，功率模块和片外的电感，飞电容，输出电容。为减少芯片面积和寄生电容，在所有电路模块中仅使用3.3V器件。官方测试显示，该3M-BBHC可以平滑地在buck、boost或buck-boost模式下切换，将与电感串联的功率管数量从两个减少到1个，以减小了导通和开关损耗；将电感放到输入端，在保持3M-BBHC具有连续的输入电流的前提下获得较小的EMI。此外，在buck模式下，其电感电流总是小于输出电流，这会降低电感直流电阻（DCR）的导通损耗。为了更好的提高模式切换的性能，本文提出了一个动态斜坡产生电路。本文实现了最高97.6%的效率。