韩国芯片双雄攻防战
半导体存储市场，向来以残酷闻名，尤其是DRAM领域，从上个世纪至今，参与者如过江之鲫而胜出者屈指可数，因而也被人称作是一场“吃鸡”游戏。
时至今日，桌上剩下的大玩家仅三星、SK海力士与美光这三位而已，其中三星和美光都是市场中的老面孔，而SK海力士虽然冠以韩国SK集团的名号，但相对而言却陌生了不少。
但三位玩家里，如今笑得最开心的，却是SK海力士。市场研究公司 Omdia 报告称，今年第三季度，三星以 39.4% 的份额位列第一，其次是 SK 海力士，占 35%。第三名是美光科技，占据 21.5%，身为第二名的它和三星的差距仅剩4.4%，这也是两家公司市场占有率差距最小的一个季度，三星的DRAM霸主地位十几年来第一次受到了挑战。
为何SK海力士能在一季度还落后于美光的情况下，仅用两个季度就翻盘制胜，成为了下行周期里日子过得最好的厂商呢？
其实，海力士也是豪门出身，也可以说生下来就含着金汤匙。早在1949 年 10 月 15 日，韩国现代集团就设立了分公司Kukdo Construction， 后于 1983 年 2 月更名为现代电子产业株式会社，它的目光投向了当时正火热的半导体。
1984 年 12 月，现代电子在韩国首次成功试产 16Kb SRAM，郑重进入半导体行业；1985 年，现代电子的第一家半导体组装厂竣工。1989 年，现代电子在成立六年后进入全球半导体市场占有率前 20 强；20 世纪 90 年代初，现代电子开始与日本联合研发DRAM；1995 年现代电子成功开发了世界上第一款 256Mb SDRAM……在短短约 10 年的时间里，现代电子凭借母公司深厚财力与持续不断的研发，成为了韩国继三星后的又一颗半导体新星。
现代电子的第一个命运转折点出现在了1999年，当时金融危机正在席卷韩国和亚洲别的地方后，而韩国政府的应对方式是重组金融机构和企业结构，来提升效率和竞争力，为中小企业提供更多机会。基于这一目的，当时韩国针对集团企业推出了一项全新政策——业务互换，也称为“大交易”，其基于主要行业中最大的五家公司之间的业务交换和合并。
在大交易之前，半导体行业共有三家主要公司：三星电子、现代电子和LG半导体，为了继续保证本国半导体行业的竞争力，金大中政府着手推动排名第二的现代电子和排名第三的LG半导体合并，按照当时半导体产值来计算，这两家公司合并后已超越了三星，有望成为韩国最大的半导体公司。
但这项并购过程并不是特别容易，因为不论是LG还是现代，经营状况并未恶化到这种地步，而且由于是由现代主导新公司而非LG，LG集团内部并没有通过合并的评估，反而提议自己割舍一部分核心业务，来换取继续运营LG半导体的权利，但最终迫于银行的压力以及政府和监督管理的机构的制裁威胁，LG还是同意了这桩并购案。
这一场婚前就矛盾重重的婚姻，婚后自然也不会让人省心，首先，由于两家技术和工艺结构的不同，光是磨合就花费了大量时间，此外，由于半导体存储器、非存储器、电子通讯、液晶显示器、显示器等主体业务领域，两家公司都有重叠部分，并购完成后就一定要进行业务精简和裁员，最后，新公司还需要承担合并后的财务负担，现代电子并没获得自己梦寐以求的市场优势，反而深陷在了泥淖之中。
根据数据，在现代电子与LG半导体合并后，年收入不足10万亿韩元的新公司的债务总额在1999年10月就达到15.8万亿韩元，仅2000年一年，新公司的利息支出就达1.4万亿韩元，而2001年到期的债务总额还有6.4万亿韩元，屋漏偏逢连夜雨，由于全球经济恶化，IT市场陷入衰退，PC出货量首次出现下滑，DRAM产业更是遭遇了前所未有的衰退，本就相当困难的新公司陷入到了摇摇欲坠的境地。
如果说此时现代集团能够略施援手，可能新公司还有一战之力，但很可惜的是，现代自己似乎也不想要这块“烫手山芋”了，2021年3月，现代电子被更名为海力士，2021年8月，海力士的结构调整为 内存半导体专家，出售了所有非内存半导体业务部门，还正式从现代集团中独立了出来。
刚合并完成两年的海力士此时已经负债累累，走到了破产的边缘。2001年10月，海力士成为韩国企业重组促进法的对象，其全面债务重组于2001年11月开始，债务重组包括转换约3万亿韩元的债券、免除1.4万亿韩元的债务以及延长3.2万亿韩元的债务期限。
竞争对手美光此时抛来了橄榄枝。2002年初，时任海力士总裁的Park Chong-sup与美光达成了一项收购协议，美光会以总计34亿美元的现金股票收购海力士的整个内存芯片业务和一部分其他业务。
如果海力士当时选择被美光收入怀中的话，其最终结局大概会与后来日本的尔必达类似，也许今日三足鼎立的局面会变为两强对垒，也许尔必达就不会最终走向破产……种种可能性都在海力士做决策的一念之间。
最终，海力士其他高层没选美光这条大腿，在2002年4月集体拒绝了这一提议，理由给的很明确，美光的收购没有充足表现海力士所拥有的工厂价值，潜在的现金流产生被低估，且海力士在DRAM领域积累的技术也有一定的可能被泄露给美光，简而言之，价码开低了。
对于2002年底的海力士来说，收到的几乎全是坏消息：外部是全球经济放缓、半导体行业衰退、贸易摩擦、美光收购，内部是缺乏技术和经验、并购后的组织管理、缺乏资金等，更惨的是，此时美国、欧盟和日本开始对海力士的DRAM产品征收反补贴税，海力士的情况愈发艰难。
与很多人预料的不同，困难没有压倒这家韩国公司，反而激发出了它的韧性，而为了拯救公司，管理层推行了四大举措，分别是技术创新、业务调整、加强伙伴关系与引入更多融资。
海力士首先要解决的就是内部问题，加强内部控制，才能稳固技术领先的地位，通过加强原来管理层的权力，海力士能够更好地筹集资金，而工程师也能专注于技术开发。这带来所谓“蓝筹技术”的发展，包括成功开发出0.15微米工艺，超过了当时被认为是极限的0.18微米，这一技术还建立在已有的步进设备基础之上，如此一来，就能最大限度地利用现有设备并最大限度地减少设备更换，以此来降低成本，在成本有限地情况下快速转向下一代技术。
海力士内部控制和管理体系的变化也促成了业务组合的大幅调整，从遭遇危机开始，海力士大幅精简旗下的业务，处置了一部分非核心业务和资产，具体包括：2001年出售电信业务， 2002年出售LCD业务， 2004年出售非存储半导体业务，2005年出售显示器业务，通过业务上的一系列调整，海力士能够专注于解决DRAM的反补贴税问题和发展 NAND 闪存。
海力士还通过内部控制和管理体系创新实现了内部稳定，促进了积极的合作伙伴关系和战略联盟，以最小的成本提高了自身的竞争力。2003年4月，海力士与意法半导体就NAND闪存开发达成战略合作伙伴关系，此次合作将海力士的低成本工艺技术与意法半导体的应用能力和强大的需求基础相结合，两家公司在中国无锡成立了一家合资企业，总投资额20亿美元，其中股票募集资金7.5亿美元，债券募集资金12.5亿美元。
此外外，海力士还与中国台湾的茂德半导体建立了合作伙伴关系。海力士为茂德提供DRAM技术和多样化的产品组合，而茂德则向Hynix提供12英寸晶圆产能，最终海力士以折扣价获得了茂德40%的晶圆产能，通过这一合作，海力士能够有效提升DRAM产量的同时，保持相对合理且存在竞争力的价格。
种种改革，也为海力士多种形式的融资创造了条件。在认识到国内长期资金市场的局限性后，海力士开始进军海外长期资金市场。2001年，海力士发行海外股票收据（GDR）并开始在海外出售股票，这为海力士带来更多的海外投资，同时减少了对韩国银行的依赖。2002年至2007年，韩国贸易银行的持股比例从61%下降至30% ，除此之外，海力士实施的工资控制和节约企业资源，也为自身增加资本储备，同时降低生产成本。
在一系列及时且正确的举措过后，海力士并未走上其他公司的旧路，而是迅速摆脱了困境：2005年3月，海力士公布了 2004 年的经营业绩，该年销售额为 6.97 万亿韩元，比 2003 年增长 58%；营业收入为 2.24 万亿韩元，增长 4243%，包括海外子公司在内的合并纯利润是 1.72 万亿韩元。
2007 年和 2008 年被称为半导体行业的 黑暗时代，全球半导体供应过剩导致 DRAM 价格暴跌，同时也引发了历史上最严重的经济衰退，所有DRAM厂商都在这场衰退中受到了重创，刚恢复元气的海力士自然也不例外。
2007 年第四季度，海力士的销售额为 1.85 万亿韩元，营业亏损 318 亿韩元。虽然海力士有着清晰明确的发展路线，但外部环境的变化还是带来了不少压力，海力士管理层只能拍着胸脯向债权人保证：如果我们能渡过难关，海力士就能生存下去。
幸运的是，由于此前海力士的自救颇为成功，债权人相信了这番保证，并为海力士进行了两轮增资，增加的资金直接用于研发，海力士的研发投资占销售额的比例从 2006 年的 5.3%上升到 2008 年的 10.8%，其研发人员更是占到了总人数的 20%。
在海力士沉着应对半导体下行周期的同时，半导体行业的吃鸡游戏依旧在残酷地进行着，随着DRAM供过于求和 2008 年美国金融危机的到来，奇梦达和尔必达亮起了白旗，纷纷宣告破产，迎来了解散和被收购的结局。
但到了这样一个时间段，光靠海力士管理层的自救显然已经有些不够了，能够平稳度过两次危机已经是上天开眼，没有雄厚的资本，谁都无法在吃鸡当中笑到最后，三星自己就是韩国最大的财阀，美光背靠美国财阀，那么海力士应该找谁来当靠山呢？
要知道，当时韩国财阀一提到半导体就摇头，因为建造一座晶圆厂就需要 3-4 万亿韩元，前期后期的投入更是不计其数，虽然DRAM的回报率非常高，但衰退时的风险也非常大，三星能玩得动反周期投资，其他财阀就未必有这个魄力了。
当时，管理海力士的债权人询问了42家韩国集团，问他们是否愿意收购海力士，而唯一做出回应的是晓星，但在竞购中途就放弃了，其表示，海力士虽然是一家存在竞争力的公司，但围绕着优惠待遇问题的宣传使收购难以进行，希望别的集团能够继续接盘。
此时，韩国的SK集团站了出来。其实早在海力士遭遇危机时，就有人想到了财大气粗SK集团，韩国业界大力渲染了SK集团才是收购海力士的合适人选，不过妾有意郎无情，SK集团官方发言人多次表示无意收购海力士，称“与之前SK集团的投资组合没有业务联系”。
不过三番五次下来，SK集团的董事长崔泰源倒是对半导体产生了浓厚的兴趣。2010 年，崔泰源在首尔的家中召集了一批半导体专家组成了一个 学习小组，内容有半导体的基础原理、半导体的历史和全球技术趋势，而身处困境的海力士自然吸引到了他的注意力。
2011 年上半年，在崔泰源的推动下，SK集团决定收购海力士，不过这一决定也引来了SK 集团高管的强烈反对，理由是SK 集团的主营业务——能源化工和信息通信技术的周期稳定，而半导体不同，其经营状况不稳定，收购需要数万亿韩元的资金。
SK集团的高层在接受媒体采访时表示：崔泰源董事长与反对收购海力士的高管进行了多次讨论和会面，这实际上加强了收购海力士的必要性。崔会长的管理风格是谨慎，不过一旦做出决定，就会坚持到底，这一点在收购海力士的过程中得到了体现。”
2011 年 7 月，SK 集团的旗舰公司 SK 电讯提交了收购海力士的意向书，通过收购海力士，SL集团在能源化工和信息通信技术两大增长支柱之外，又增加了第三大增长支柱——半导体，通过这次收购，大大加强了SK全球化的业务能力。
韩国媒体则表示，SK和海力士是天作之合，海力士最需要的是雄厚的资本，而 SK 则需要一家同时拥有技术和全球元素的公司来实现新的增长，两家公司各取所需。海力士从半导体业务中获得的全球业务诀窍，以及海力士遍布全球 15 个以上国家的海外业务网络，将更好地扩大SK集团在全球的影响力。
在收购完成后，SK 就开始向海力士投入海量的资金：2011年，SK 共提供了 3.85 万亿韩元的投资，与前一年相比，增幅高达 10%；2012 年，由于半导体行业不景气，大多数半导体公司都在削减投资，但 SK海力士却比上一年增加了 10%的设施投资；同年 6 月，SK海力士收购了意大利 IdeaFlash 公司（现 SK hynix 欧洲技术中心）和美国控制器公司 LAMD（现 SK hynix 内存解决方案中心）……
而海力士自己也相当争气，在 2012 年第二季度就恢复了盈利，2013 年、2014 年、2015 年和 2017 年，SK海力士的销售额和盈利均创下了历史上最新的记录，海力士没有成为赔钱货，反倒成了SK最大的摇钱树之一。
光靠SK集团的财力和海力士本身的技术实力，保住原来它在DRAM市场中的地位并不难，但想要挑战横贯业界数十年的老大哥三星，这还远远不够。
2022年底，ChatGPT-4发布，迅速在全球引发一场AI大模型的热潮，驱动这场热潮的是英伟达的显卡，而显卡中至关重要高带宽的HBM显存，正是出自SK海力士之手。
HBM的历史可以追溯到十多年前，AMD在收购ATI后，开始研究更先进的显存技术，GDDR陷入到了内存带宽和功耗控制的瓶颈，而AMD就想到了用TSV技术打造立体堆栈式的显存颗粒，让“平房”进化为“楼房”，同时通过硅中介层，让显存连接至GPU核心，并封装在一起，完成显存位宽和传输速度的提升，HBM的技术雏形就此诞生。
为了推行这一全新的显存标准， AMD就拉来了有3D 堆叠内存经验的海力士，经过多年研发后，AMD和SK海力士联合推出了初代HBM，也被定为了JESD235行业标准，HBM1的工作频率约为1600 Mbps，漏极电源电压为1.2V，芯片密度为2Gb（4-hi），其带宽为4096bit，远超GDDR5的512bit。
但在当时尚属实验性质的HBM并未给SK海力士带来多少营收，原因是成本过高，普通的游戏显卡消费者难以负担，AMD也在后续的显卡里取消了HBM。
更让SK海力士难以接受的是，由于是行业标准，后续三星也参与到了HBM的开发当中，摇身一变，成为了英伟达Tesla P100显卡HBM2显存的供应商，身为标准制定者却在这方面落后，多少有些让SK海力士拉不下面子。
好在SK海力士管理层依旧具备着大胆押注新兴技术的魄力，在HBM2之后奋起直追，家大技术上的投入，继 2013 年生产出第一代产品后，其于 2021 年 10 月率先量产HBM的第四代产品——HBM3，也藉由此，成为了英伟达最强AI卡H100的HBM供应商。
韩媒表示，SK海力士不仅在HBM方面的投资更大，其产品研究开发速度也快于三星和美光，这也是它能首先与英伟达达成协议的重要原因，英伟达控制着全球AI显卡市场约 90% 的份额，只要拿下它，就从另一方面代表着在HBM市场中取得了领先，而且像英伟达这样的客户很少愿意更换供应商，除非出现灾难性的质量缺陷，或是技术上出现了落后，从这一角度来看，已经准备在2024年量产HBM3E的SK海力士已经是稳操胜券。
SK海力士在第三季度财务报表电话会议上表示，包括 HBM 在内的图形 DRAM 销售额占 DRAM 总销售额的 20%。该公司第三季度的 DRAM 销售额为 6.744 万亿韩元，HBM 销售额至少为 1.219 万亿韩元。
由于HBM 的影响，SK 海力士第三季度 DRAM 利润实现两个季度以来首次转正。在全球 DRAM三巨头中，SK 海力士也是唯一一家在本季度实现盈利的公司。
恐怕没有人能够想到，在2002年濒临破产的海力士，二十多年后实现了逆袭，隐隐有了取三星而代之的趋势。
在SK海力士春风得意的对照下，三星电子更像是一位失意之人。近年来，一系列风向和动态，似乎都宣泄着三星的“失落”。
在5nm时代，三星成功地从台积电手中抢走了不少订单，包括高通的骁龙888和骁龙8。然而，在进军3nm工艺时，三星却遭遇了前所未有的困难。
近日，据经济日报消息，台积电3nm再拿下高通独家订单，一改5月曾传出的高通有意重启三星与台积的双重代工模式。
据了解，台积电3nm首发客户苹果包下了其首批产能至少一年；除了苹果，先前英伟达、Marvell也和台积电在3nm已展开合作；日前联发科也宣布双方将在3nm合作。此次传出2024年高通第四代骁龙8系列芯片由台积电3nm统包生产，显示出台积电3nm家族客户群持续扩大。
原本三星晶圆代工正在积极抢回大客户订单，高通在今年上半年原先预计将会在明年重新再启动双晶圆代工模式，分别将Snapdragon Gen 4分配给台积电、三星等两大晶圆代工厂。不过最新业界消息传出，三星由于在明年规划3nm制程扩张态度保守，可能将不足以满足高通所需晶圆投片数量；此外，还有消息表示，三星3nm GAA制程技术推出1年多以来，晶圆良率仍不理想。
据业内人士透露，三星向某个客户交付了第一批3nm GAA芯片。但令人惊讶的是，这些芯片并不完整，缺乏逻辑芯片中的SRAM。这对于任何一款芯片来说都是一个严重的缺陷，因为SRAM是负责临时存储数据的关键部件。
诸多因素和考量之下，高通将重回台积电独家代工模式，将可望推升台积电明年3nm制程产能更上一层楼。最快要到2025年可能才会重回台积电、三星等双晶圆代工模式。
对于三星来说，重新代工高通骁龙旗舰芯片或将是一个里程碑。众所周知，当年高通首次推出骁龙8 Gen 1芯片的时候，代工厂正是三星。由于这款芯片的功耗表现不如预期，高通迫于压力从骁龙8+ Gen 1开始改用了台积电代工，之后的8 Gen 2和Gen 3也继续沿用台积电独家代工。
目前让三星头疼的是，没有真正能走量的客户在三星这里下3nm芯片的订单，没有订单三星也很难有动力进行芯片制程的研发和改进。甚至连三星自家的手机都不用三星的新工艺，这多少也说明了三星的3nm的确还不够成熟。
从历史角度来看，三星在同一代制程工艺下制造的芯片，无论是性能还是功耗发热，相比台积电都有所不如。这一问题在5nm时代就已经存在，如今在3nm工艺上更是被放大。这使得三星在与台积电的竞争中处于更加不利的地位。
据了解，台积电3nm制程家族明年将可望持续推出更多产品线E之外，明年将有望再度推出N3P及N3X等制程，届时将可望让3nm家族成为继7nm家族后，另一个重点节点。
这对三星来讲，不可谓不是新的冲击。另一边，还有英特尔虎视眈眈的竞争和追赶。
除此之外，两家公司已开始着手研发2nm工艺的芯片，不过据消息人士称：2nm芯片与3nm芯片的目前看来功耗效能上并不会有显著的提升，估计3nm芯片会持续在市场上一段很长的时间才会被淘汰。
近日，有知情人士表表示，三星将从明年开始放弃Exynos品牌，即将推出的中端和旗舰SoC将被称为不同版本的Dream Chip。
回顾Exynos发展历史，2011年，三星电子正式将自家基于ARM架构处理器品牌命名为Exynos。Exynos绝大多数只用在三星Galaxy系列新产品，除了魅族、vivo等中国厂商以外很少有其它厂商采用。2019 年底，三星联合vivo研发了业内首款双模5G AI芯片Exynos 980，并成功搭载在vivo X30上；此后，vivo X60系列也搭载了Exynos 1080，并成为此款芯片的首发品牌。但或许是对性能和整体表现不够满意，vivo放弃使用该系列芯片。
虽然三星也曾有因Exynos 3310和Exynos 7420而风靡一时，但近年来发展每况愈下。目前仅剩三星自有机型仍在使用Exynos新品，而且业界当下普遍将Exynos视为三星高端旗舰的“拖油瓶”，甚至连三星自身也部分“弃用”自己出品的芯片。
其实早在去年，就有数码博主爆料，三星将放弃自研Exynos高端芯片，以后旗舰机型全都采用高通产品。后来这一传言得到证实，其在23年推出的三星Galaxy S23系列旗舰机全系搭载高通第二代骁龙8处理器，不再搭载自研处理器，以后自研的Exynos处理器只搭载于三星的中端旗舰机。
但对于这一爆料，三星向外媒Android Authority回应称，该公司没有重命名Exynos芯片系列的计划。所有关于品牌重塑的传言都不是真的。
暂且不论更名一事，仅从Exynos芯片发展现在的状况来看，已经被苹果、高通和联发科越拉越远，Exynos成了拖累三星高端旗舰的标志。这也标志着安卓手机SoC芯片市场只剩下高通和联发科重夺高端市场。
如今，Exynos处理器虽然缺席旗舰端，但还有中端定位部分，靠着三星海量的中端机型依然可以活下来。预计2025年后三星可能才会重新推出旗舰处理器。
一方面，存储市场刚经历了一场史无前例的下行周期。据WSTS数据，2022年存储芯片市场规模约为1300亿美元，2023年预期将同比下滑35.2% 至840亿美元。
在过去的几个季度里，内存市场面临着过去15年来最严重的衰退。自2021年第三季度以来，DRAM和NAND的价格分别下跌了57%和55%。
受此影响，三星迈入“寒冬”。依据数据显示，从2022年12月开始，三星的净利润一跌再跌，下滑幅度超过95%，打破了14年来的历史记录。
三星发布的2023年第三季度财报显示，该季度营收为67.4万亿韩元，同去年相比下滑12.21%，而净利润更是暴跌了77.57%。
三星电子作为存储芯片的主要供给方之一，在全球半导体产业周期性调整的环境下，其存储芯片业务的波动对DS部门影响极大。在第一季度财报中，DS部门出现了亏损达4.58万亿韩元，同比亏损了13.03万亿韩元。在巨大的亏损压力面前，三星电子在上半年针对DRAM和NAND两种存储器决定分别减产20%和30%，以期将仍有富裕的库存调整至供需平衡的状态。
另一方面，在AI热潮的推动下，存力正成为新的风口。很长时间里，三星一直是DRAM市场的领导者，不过最新的统计多个方面数据显示，SK海力士在2023年第三季度的服务器DRAM这一细分市场坐上了头把交椅，很大程度得益于其最新标准的DDR5服务器内存在市场之间的竞争中处于优势地位。
据TrendForce最新统计，SK海力士第三季度以49.6%的市场占有率稳居服务器DRAM市场第一，销售额达18.5亿美元。三星电子以13.13亿美元的销售额排名第二，占据35.2%的市场占有率，第三名是美光，销售额为5.6亿美元，市场占有率为15.0%。
服务器DRAM约占整个DRAM市场的35%-40%，过去一段时间里，SK海力士在DDR5的研发上投入非常大，不但引入了新的制造工艺，已完成了现有DRAM中最为微细化的1bnm（第五代10nm级别）的研发技术，而且积极地与英特尔第四代至强可扩展处理器进行兼容性验证。SK海力士在服务器DRAM市场占有率激增超越三星电子，主要因为SK海力士在模块类产品竞争中的领头羊，这中间还包括最新标准服务器DRAM以及第五代双倍数据速率内存（DDR5）。
上述市场占有率计算不包括大多数都用在AI服务器的高带宽内存（HBM），如果包括HBM在内，SK海力士和三星电子之间的差距估计会更大。
HBM属于DRAM中的一个类别，通过将多个存储器堆叠在一起，形成高带宽、高容量、低功耗等优势，突破了内存容量与带宽瓶颈。与DDR对比，HBM基于TSV工艺与处理器封装于同一中介层，在带宽、面积、功耗等多方面更具优势，缓解了数据中心能耗压力及带宽瓶颈。
AI的崛起让多种智能终端找到变革新方向，未来AI向服务器、笔电等更广泛领域渗透有望持续提升HBM市场规模，先行布局的存储厂商将持续强化HBM市场集中度。
目前，随着生成式人工智能的需求持续爆发，AI厂商对HBM存储的需求预测将以每年40%以上的速度增长。SK海力士是现阶段HBM类产品的市场领导者，占据了最大的市场占有率，也是英伟达数据中心GPU主要的显存供应商。
根据TrendForce集邦咨询的数据，HBM的全球市场占有率为SK海力士（50%）、三星电子（40%）和美光（10%）。
SK海力士在HBM产品上的领先位置，很大程度缩小了与三星在DRAM整体市场占有率之间的差距。目前三星以39.4%的市场占有率排在DRAM市场的第一名，SK海力士以35%的市场占有率紧随其后。
此外，随着英伟达、AMD等处理器厂商计划将其HBM供应商多元化，以提高供应链管理效率，SK海力士可能结束其在HBM领域的单打独斗，迎来一个竞争非常激烈的新时代。据了解，从7月份的美光开始，到8月份的SK海力士和10月份的三星，三家公司都提供了HBM3E样品。考虑到英伟达常常要六个月左右的时间来验证HBM样品，预计供应量较为清晰的轮廓将在明年显现。
这场“三国杀”将成为内存半导体领域的一场激烈角逐，各大公司将通过不同的技术和产品来争夺市场占有率，推动行业的创新与发展。
此外，笔者在此前文章《韩国存储双雄，再次领先！》和《存储巨头竞逐HBM》中，对三星和SK海力士在DRAM、NAND、GDDR以及存算一体和HBM等方面的对比和差距进行了分析梳理，在此不再过多赘述。
在当前业界瞩目的先进封装领域，OSAT、IDM和晶圆代工厂等全产业链厂商都在积极布局。
在《先进封装大战，升级！》一文中，笔者重点介绍了台积电、英特尔、三星、SK海力士等在先进封装领域的技术方案和布局。
在先进封装领域，台积电的领头羊尤其突显，拥有SoIC、CoWoS和InFO等3D堆叠和2.5D先进封装技术，进一步将制程工艺和封装技术深度整合。台积电时刻保持“两手抓”的状态，以巩固自身在晶圆制造领域的霸主地位。
英特尔也经过多年技术探索，也相继推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多种先进封装技术，力图通过2.5D、3D等异构集成形式实现互连带宽倍增与功耗减半的目标。
而三星除了在存储器中大量使用堆叠封装技术外，在高性能计算芯片上也正全力发展先进封装技术，旨在充分挖掘高性能计算机、AI、5G、云以及大型数据中心市场。
据了解，三星分别于2018年、2020年推出了I-Cube（2.5D）、X-Cube（3D）两种封装技术。其中，I-Cube作为异质整合技术，可将一个或多个逻辑芯片（如CPU、GPU等）和多个存储芯片（如HBM）整合连接在中介层顶部。I-Cube封装技术可与台积电CoWoS封装制程相抗衡，该项技术已投入到正常的使用中，标志着三星晶圆制造业务领域已从移动电子设备扩展到数据中心；
X-Cube则是使用TSV技术在逻辑芯片上堆叠存储器芯片，最大限度上缩短互连长度，在降低功耗的同时能提高传输速率。
2021年，三星还推出了2.5D封装技术H-Cube，专门用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、数据中心和网络产品等领域。
今年9月，为了追上台积电AI芯片的先进封装，三星推出名为FO-PLP的2.5D封装技术。借由此技术，三星预计可将SoC和HBM整合到硅中间层上，进一步建构其成为一个完整的芯片。据悉，FO-PLP的基板是方形，而台积电的CoWoS是圆形基板，FO-PLP不会有边缘基板损耗问题，有较高的生产效率。但由于要将芯片由晶圆移植到方形基板，其作业较为复杂。
据悉，最新的封装技术SAINT包括SAINT S（垂直堆叠SRAM内存和CPU），SAINT D（用于CPU、GPU和内存的垂直封装），SAINT L（用于堆叠应用处理器）。这一技术的引入旨在应对生成式AI和终端装置AI的加快速度进行发展，将成为三星电子在先进封装领域的重要一步。
除了在产品创新上进行投入布局外，三星电子去年开始还积极地推进封装基础设施建设和人才引进，旨在用先进的封装技术超越半导体的极限。
三星电子是世界上唯一一家同时从事存储器、逻辑芯片代工和封装业务的公司。因此，三星将利用这些优势提供具有竞争力的封装产品，连接高性能存储器，例如通过异质整合技术，并经由EUV制造技术生产最先进的逻辑半导体和HBM。
后摩尔时代，先进封装正在成为各大厂商的发力点和必然选择，不同商业模式的企业都在同一个高端封装市场空间展开竞争。
但不同业态的厂商，在封装业务方面投入的资源也不一样，技术发展路线也存在差异。
能看到，这两年三星在先进封装上的押注非常大，但相比台积电和英特尔，三星电子的动作和节奏仍稍显迟缓。
毫无疑问，半导体市场将受益于先进封装领域的新参与者。台积电目前向包括NVIDIA和AMD在内的一系列客户提供CoWoS服务，用于其当前和即将推出的AIGPU，而英特尔则在PonteVecchio及其后续产品等加速器上使用自己的先进芯片制造技术。
如果一切按计划进行，三星的SAINT有潜力从竞争对手那里获得很大一部分市场占有率，不过NVIDIA和AMD等公司是不是会对他们提供的技术感到满意还有待观察。
SK海力士和三星电子这两大韩国半导体巨头，如今却是一起一落，让人感慨不已。
从破产到新霸主，SK海力士面对四个至关重要的转折点，拿出了即使现在来看也相当明智的魄力与决策，数十年如一日深耕DRAM的它，终得拨开云雾见天日，守得云开见月明。
而三星电子则在无数次的机遇中，犯下了不少失误，拱手让出了已有的优势，逐渐从意气风发走向了失落。
纵观半导体行业，看似遥遥领先的市场占有率，并不代表高枕无忧，反会滋生出自满怠惰等问题，而身处劣势却会让人居安思危，在技术创新的基础上完成逆袭，对于人来说，需要吾日三省吾身，对公司来说，又何尝不是呢？
