抢先全球！我国首发8寸光电芯片晶圆比美国、日本还先进

  众所周知，现在在一般的硅芯片上，较先进的工艺选用的都是12寸晶圆，只需一些非常老练的芯片，才运用8寸、6寸、4寸晶圆。

  可以说，芯片工艺越先进，硅晶圆尺度越大，由于这样糟蹋少，成本低。但硅晶圆尺度越大，难度就越大，技能方面的要求就越高。

  不过，尽管一般的硅基晶圆已开展到了12寸，但一些特别的资料的晶圆，现在许多还在4寸、6寸、8寸的阶段。

  比方薄膜铌酸锂晶圆，现在半导体资料强国日本，以及美国，其完成的技能水平，也就处于6寸的水平。

  薄膜铌酸锂晶圆是什么晶圆？它其实是光电芯片的资料之一，集成光电收发功用，在滤波器、光通讯、量子通讯、航空航天等范畴，有重要作用。

  但铌酸锂资料脆性大，大尺度制备非常困难，所以日本、美国才只需6寸水平，职业界一直在研讨8寸晶圆的制备水平，看谁抢先。

  而近来，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北下线，阐明我国在这项技能上更抢先了。

  此项效果运用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，为现在全球硅基化合物光电集成最先进的技能，依照说法，接下来会很快完成工业商用。

  最近几年来，跟着5G、大数据、AI等的开展，光电芯片得到了极大的重视，而铌酸锂由于其资料特性被认为是最理想的光子集成资料。

  所以这次我国全球量产8寸铌酸锂晶圆，也代表着接下来，我国有望根据薄膜铌酸锂的大规模光电集成技能，引领职业革新。在光量子核算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等范畴显示其使用价值。

  当然，现在8寸铌酸锂晶圆还仅仅从实验室下线，接下来要大规模量产，还需要一点时刻，咱们还需要慎重达观。但一起这件事背面，这也代表着，只需咱们尽力，在芯片工业上，必定会有各个点层面的的技能打破，而这些新的打破，会以点带面，构成一个全体，终究助力我国芯片工业腾飞，你觉得呢？