中国科学院上海微体系所官方大众号日前发布音讯，称魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技能方面获得突破性开展。

  制备出了国内榜首片300mm射频（RF）SOI晶圆，完成了从无到有的重大突破。

  依据文章介绍，团队根据集成电路资料全国重点实验室300mm SOI研制渠道，顺次处理了300mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜堆积、非触摸式平整化等许多核心技能难题，完成了国内300mm SOI制造技能从无到有的重大突破。

  高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后渐渐拉出，构成圆柱形的单晶硅；硅晶棒在通过研磨、抛光、切片后，构成硅晶圆片，也便是所说的晶圆。

  晶圆作为半导体资料，在微电子技能领域中有很广泛的使用，是芯片、太阳能电池板、LED光源等重要元器件的根底。

  那么晶圆和芯片有啥火燎呢？在芯片制造的完好过程中，榜首步是要将晶圆切割成必定巨细的小块，然后在上面进行电路规划、光刻等工艺女人，终究构成一个完好的芯片。

  晶圆和芯片之间的火燎大约能类比为“大理石”和“雕塑”的火燎，晶圆就像是一块未被雕琢的大理石，而芯片则是在晶圆上依照规划图画雕琢出来的具有特定功用的结构。

  此次完成的300mm 射频SOI晶圆的自主制备，将有力推进国内RF-SOI芯片规划、代工以及封装等全产业链的协同加快速度进行开展，并为国内SOI晶圆的供给安全供给坚实的保证。（快科技）