这个流程算是LD最根底的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后便是切片、测验、封装。

  可是里边也有几个要害的工艺参数需求操控的。相同EtchGaAs也能够用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺作用要好些，侧壁也笔直许多。

  芯片在未封装成器材时，测验载台的温度对测验成果影响很大，需求温控体系。一般情况下设定测验温度25℃，也有低温些的，15~20℃等等。

  如上图ＬＤ，ｌａｓｅｒ的阈值电流在０．４Ａ，经过拟合电压的斜率能够取得电阻约63.6。最大的转化功率在电流为1.5A，到达34%。最大功率在2A电流处。之后转化功率底子没有添加。

  测验波长，波长在测验的时分跟着电流增大会有红移的现象，底子原因是跟着电流添加，芯片发光功率会变大，芯片内部的热量会添加。

  激光做好之后，出光作用怎么，就需求做个近场测验一下，什么是近场呢，便是无限挨近芯片旁边面出光的几许尺度。如上图，主要有一个X、Y方向的出光面问题。

  与近场对应的便是芯片的长途，便是出射一段距离之后的光斑容颜，发散角什么的。

  一般侧发光Y方向上的发散角偏大，由于能发光的有源层太薄了，随意一发射就能分隔很大的一个视点，而X方向能够终究靠加大Mesa的宽度开改动巨细，都是几十um乃至上百微米的宽度，因而发散角很小。可是激光后续都希望能以近圆形的光斑驳耦合到光纤等其他组件中，因而怎么样才干做到小的发散角是芯片的一个要点方向。

  别的就现在芯片侧发光工艺中，测验也是一个十分重要的一环，一般侧发光芯片需求把芯片解离出来之后才干测验，不能像Vcsel或许LED芯片那样，能做到整个晶圆一致测验，因而测验功率很低，怎么在晶圆上能够完好的测验好整张晶圆上芯片的数据是个很好的课题。