音讯称三星反面供电芯片测验效果杰出有望提早导入

  IT之家2 月 28 日音讯，据韩媒 Chosunbiz 报导，三星电子近来在反面供电网络（BSPDN）芯片测验中获得了好于预期的效果，有望提早导入未来制程节点。

  传统芯片选用自下而上的制作方法，先制作晶体管再树立用于互连和供电的线路层。但随着制程工艺的缩短，传统供电方式的线路层越来越紊乱，对规划与制作构成搅扰。

  BSPDN 技能将芯片供电网络转移至晶圆反面，可简化供电途径，处理互连瓶颈，削减供电对信号的搅扰，终究可下降渠道全体电压与功耗。关于三星而言，还特别有助于移动端 SoC 的小型化。

  参阅韩媒报导，三星电子在测验晶圆上对两种不同的 ARM 内核规划进行了测验，在芯片面积上别离减小了 10% 和 19%，一起还获得了不超越 10% 的功能、频率功率提高。

  Chosunbiz 称，三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此处存疑，以往报导中为 1.4nm）工艺中完成反面供电技能的商业化，但由于现在超额完成了开发方针，估计将修正路线图，最早在下一年推出的 2nm 中使用。

  三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也活跃布局反面供电范畴：其间英特尔将于本年的 20A 节点开端推出其 BSPDN 完成 PowerVia；而依据科技博客 More Than Moore 音讯，台积电估计将在 2025 年推出规范 N2 节点后 6 个月左右发布对应的反面供电版别。

  广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等方式），用于传递更加多信息，节约甄选时刻，效果仅供参阅，IT之家一切文章均包括本声明。