晶圆(Wafer-KGD)：650V 11A 380mΩ Super-junction Pow MOSFET

  40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了苛刻的车规级可靠性认证，该产品选用TO263-7贴片封装，具有体积较小，设备简易快捷，损耗更低的特色。

  车规级TO263-7封装助力高效高密运用 /

  IGBT 作为一种功率半导体器材，大范围的运用于工业节能、电动汽车和新能源配备等范畴。IGBT 具有节能、设备快捷、保护便利、散热安稳等特色，是能量转化和传输的中心设备。瑞能的

  IGBT产品在电功能和可靠性等方面具有许多优势，内行业界也处于领先地位。

  IGBT的结构解析 /

  *1 ，新产品十分适用于照明用小型电源、电泵和电机等运用。 R6004END4

  全球闻名半导体制造商ROHM(总部在日本京都市)开宣布选用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压

  ，依据P&S的超结原理。报价设备供给了快速切换的一切优点而且导通电阻低，使其十分适合于需求更多高效，更紧凑，LED照明，高 功能适配器等。

  系列产品的功能指标 /

  圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（

  /6A SiC二极管 /

  一起完成业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可逐渐下降工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压

  Factor Correction circuit) /

  润新微电子（Runxin Microelectronics）侥幸推出了最新一代的

  GaN功率晶体管（FET），该产品具有杰出的功能和广泛的运用范畴。 产品特色： 易于运用：

  Factor Correction circuit) /

  【米尔-全志T113-i开发板试用】米尔-全志T113-i开发环境建立

  全志XR806 OpenHarmony体系入门之Hello World演示