国产芯大打破：中科院建功国内首片300mm RF-SOI晶圆

  众所周知，现在的以硅基芯片为主，即选用硅为质料，制作成晶圆，再经过光刻机、刻蚀等技能，变成祼片，再切开，封装成一颗颗制品芯片。

  硅晶圆可以说是最重要的资料，但硅晶圆也分为很多种，并不是一切的芯片运用硅晶圆都是相同的，一般不同的芯片类型，有不同的硅晶圆。

  比方近来，中国科学院上海微体系所就表明，研讨团队制备出了国内榜首片300mm射频（RF）SOI晶圆，完成了0的打破。

  这个SOI晶圆便是一种特征晶圆，SOI是Silicon On Insulator的简称，也便是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思。

  SOI晶圆的长处，就能削减电流漏电，以此来下降功耗，由于现在的芯片漏电功耗，现已占到了一切功耗的一半了，可以削减漏电电流，就可以大起伏下降功耗，削减发热。

  还有SOI晶圆，可以提高时钟频率，所以这种晶圆，一般适用于低功率、低发热、功耗、热量灵敏型的器材，比方射频、功率和硅光器材这些芯片。

  曾经国内是无法制作这种SOI晶圆的，全球SOI晶圆90%以上的商场被法国Soitec独占。而在SOI晶圆制作上，美国的格芯又是最牛的，所以现在全球很多的射频芯片，满是格芯代工的，乃至美国军方大多数射频器材的代工，都是格芯。

  这些晶圆用于不同的芯片、不同的范畴，而这次中科院制作出来的仅仅RF-SOI，但信任后续接下来，咱们也可以制作出更多的SOI晶圆。

  此外，跟着国产SOI晶圆的出产，也将推进国内SOI晶圆的代工出产等，要知道现在国频芯片开展相对落后，比方手机运用的射频芯片，特别是高端射频芯片，比方射频芯片，国内制作大多不出来，很多依靠进口。

  而RF-SOI晶圆的面世，想必也可以推进射频芯片的代工、封装等与之配套的工业高质量开展，由此削减后续对国外射频芯片的依靠。