中国芯迎来大转机！芯片制造两大设备突破西方打压套路迅速上演

  近年来，我国半导体产业一直在努力，但由于差距太大，目前依然相对落后。目前，我国的芯片主要依赖进口，每年的芯片进口甚至超过了石油，在进口商品中位列第一。

  尤其是今年5月，美国再次颁布对华为的新禁令，这次直接对准了我们的软肋，要切断华为的芯片供应链。这让台积电不能给华为代工高端芯片，会让华为业务陷入困境。这也突显了我们芯片制造上的严重不足！

  那么，在芯片制造上，我们究竟差在哪儿，怎么样做破局，其中又面临着什么困难？下面，我们先从芯片是如何制成的开始说起。

  芯片制作的完整过程很复杂，我们简单了解下。芯片生产其实是一个点砂成金的过程，从砂子到晶圆再到芯片。首先，要从熔态硅中拉出晶圆并切片，获得晶圆。

  其次，将感光材料均匀涂抹在晶圆上，利用光刻机将复杂的电路结构转印到感光材料上，被曝光的部分会溶解并被水冲掉，从而在晶圆表面暴露出复杂的电路结构，再使用蚀刻机将暴露出来的硅片的部分刻蚀掉。

  然后，经过离子注入等数百道复杂的工艺，镀铜后再切削掉表面多余的铜，就能将数以亿计的晶体管连接起来。经过测试、晶片切割和封装，就得到了我们见到的芯片。

  由此，我们大家可以看到，芯片制造中要用到三个设备：光刻机、蚀刻机、离子注入机，这三个是芯片生产的全部过程中，必须要用到的关键设备，要想制造高端芯片，这三个设备也一定要达到高端。

  为了攻克芯片制造，我国从多方面不断努力，尤其是这三个关键设备，多年前就开始努力，现在均取得一定成就。尤其是中微半导体，突破了5nm蚀刻机，达到国际领先水平，并已用于台积电今年的5nm芯片生产中，另外两大设备也取得重大突破！

  光刻机方面：上海微电子传来好消息，将于明年开始交付国内首台28nm浸没式光刻机。此前仅能生产90nm光刻机，现在一跃进入28nm，能够说是重大突破！

  离子注入机：中国电子科技集团宣布，由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功，实现百万电子伏特高能离子加速，性能达到国际先进水平。

  光刻机和高能离子注入机的成功，都是从无到有的突破。这两大设备成功后，将使国内芯片制造再进一步，能够生产更多范围的芯片，减少一大部分对国外的依赖！有外媒评论道：这些设备的突破，让中国芯迎来大转机！

  为了扼制我国高科技的发展，西方组织了42个国家参与的《瓦森纳协定》，以此在技术和设备方面来限制我国。像中芯国际于2018年订购的荷兰ASML的EUV光刻机，就因为美国以此阻挠，至今未到货。

  不只是利用这个协议，西方还有一个惯用的打压套路，就是在我们没时，他们狮子大开口要价，当我们攻克后，他们就狠狠降价，让你的产品失去竞争力，无法再继续前进，最终达到垄断市场！

  最近，有消息传来，上海微电子刚突破28nm光刻机不久，荷兰ASML马上将他们的同款光刻机大幅降价，意图率先抢占国内市场，这直接让没有出厂的上微光刻机瞬间丧失优势和市场，严重影响出货量不说，甚至有可能连研发成本都不够！

  西方为了打压我国高科技发展，一向如此，这样的例子数不胜数。像蚀刻机，之前美国对咱们进行技术封锁，限制蚀刻机设备对我国出口，等中微半导体突破蚀刻机后，他们就迅速解除限制并降价销售。

  结语：芯片设计方面，华为海思的水平已达到全球领先水平，除了海思还有很多的芯片设计企业，差不多有1400家左右，像紫光展锐、寒武纪等。主要是差在芯片制造，不过我们还有中芯国际，其水平现在已达到全球第五。

  虽然中芯国际制造水平跟台积电、三星还有差距，但连全球第三、四名都放弃了先进制程研发，而中芯国际现在一直在努力，尽管先进制程就没有创造利润。

  尽管我们的光刻机还有很大差距，但我们一定要支持国产，尽管他们还不是非常优秀，但只要给他们机会，他们一定会更优秀，最终受益的还是我们自己及子孙后代！